“啊……”
林苯堅(jiān)聞言又驚又喜，驚的是德高望重的張中謀親自研究了他的項(xiàng)目方案，喜的是自己終于得到了發(fā)揮的機(jī)會(huì)。
他整理了一下思路，緩緩道：“傳統(tǒng)的干式光刻法，自1959年發(fā)明‘平面積成電路’以來，被持續(xù)使用了四十年，然而受限于基本光學(xué)衍射，在90年代后期，用該方法制造特征尺寸小于65納米的芯片面臨無法逾越的瓶頸?！?br>
林苯堅(jiān)堅(jiān)定地道：“我預(yù)見昂貴的干式光刻技術(shù)將進(jìn)入死角，所以建議使用濕式光刻，該方法是一種新的光刻工序，透過液體介質(zhì)置換透鏡和晶圓表面之間的氣隙以提高光學(xué)解析精度?！?br>
“這個(gè)我知道，你說的濕式光刻，是浸潤式光刻，這個(gè)概念在80年代曾有人提出過。但這個(gè)概念很原始，距離可實(shí)現(xiàn)的方法還很遠(yuǎn)。”張中謀點(diǎn)頭道。
“對(duì)，為了優(yōu)化浸潤式光刻系統(tǒng)，我在理論上重新定義并導(dǎo)出了關(guān)鍵性能指標(biāo)和縮放公式，為極高解析度的三維浸潤式光刻光學(xué)系統(tǒng)，規(guī)范了必須遵行的縮放定律?！?br>
林苯堅(jiān)道：“我還在實(shí)驗(yàn)室的研究發(fā)現(xiàn)，想要完善浸潤式光刻，就是要克服液體中微氣泡的形成。還必須要開拓在熱力學(xué)極限下，經(jīng)由水而衍射的光刻工序?！?br>
張中謀赫然動(dòng)容道：“如果你的這個(gè)設(shè)想全部解決，那么在科學(xué)和工程上，就證實(shí)了濕式光刻方法可用于最先進(jìn)的IC制程，可以將IC技術(shù)節(jié)點(diǎn)從65nm持續(xù)降低，打破65nm的技術(shù)壁障?！?br>
“對(duì)，這樣摩爾定律又可以生效了。至少可以再持續(xù)延伸了五代以上?！绷直綀?jiān)信心滿滿地道。
“哈哈，好哇！”
張中謀大笑，“就是要你的這種底氣，你來看看這份資料?！?br>
他指著中芯突破90nm技術(shù)的資料給林苯堅(jiān)看，“如果技術(shù)停滯，后來者就很容易追上來。為了保持我們的技術(shù)領(lǐng)先，我決定馬上研發(fā)濕法光刻技術(shù)。由你牽頭負(fù)責(zé)成立技術(shù)團(tuán)隊(duì)，爭取一年內(nèi)出成果。咱們積電不發(fā)威，什么內(nèi)地小公司都敢追上來了?！?br>
林苯堅(jiān)臨危受命卻大喜，他立正道：“保證完成任務(wù)?！?br>
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